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半导体模块供应商面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件 1.GaN材料和器件技术 研究目标:重点突破用于蓝光激光器衬底的GaN体单晶生长技术。 研究内容及主要指标: 大面积、高质量GaN体单晶生长技术。 2、超高亮度全色显示材料与器件应用技术 研究目标:研究开发用于场致电子发射平板显示器(FED)材料和器件结构,以及超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术。 说明:等离子体平板显示器和高亮度、长寿命有机发光器件(OLED)和FED的产业化关键技术将于"平板显示专项"中考虑。 半导体模块供应商研究内容及主要指标: 1) 超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术(A类); 2) 研制FED用的、能够在低电压下工作的新型冷阴极电子源结构、新型冷阴极电子发射材料(A类)。 3、超高密度光存储材料与器件技术 研究目标:发展具有自主知识产权的超高密度、大容量、高速度光存储材料和技术,达到国际先进水平,为发展超高密度光存储产业打下基础。 研究内容及主要指标: 1) DVD光头用光源和非球面透镜等产业化关键技术(B类); 2) 新型近场光存储材料和器件(A类)。 4、光传感材料与器件技术 研究目标:以特殊环境应用为目的,实现传感元器件的产业化技术开发;研究开发新型光电传感器。 研究内容及主要指标: 1) 光纤光栅温度、压力、振动传感器的产业化技术(B类,要求企业负责并有配套投入); 2) 锑化物半导体材料及室温无制冷红外焦平面探测器技术(A类); 3) 大气监测用高灵敏红外探测器及其列阵(A类) ; 4) 基于新概念、新原理的光电探测技术(A类); 5、新型有机光电子材料及器件 研究目标:研究开发新型有机半导体材料及其在光显示等领域的应用。 研究内容及主要指标:: 1) 有机非线性光学材料及其在全光光开关中的应用(A类); 2) 有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术(A类)。
面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件 1.GaN材料和器件技术 研究目标:重点突破用于蓝光激光器衬底的GaN体单晶生长技术。 研究内容及主要指标: 大面积、高质量GaN体单晶生长技术。 2、超高亮度全色显示材料与器件应用技术 研究目标:研究开发用于场致电子发射平板显示器(FED)材料和器件结构,以及超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术。 说明:等离子体平板显示器和高亮度、长寿命有机发光器件(OLED)和FED的产业化关键技术将于"平板显示专项"中考虑。 研究内容及主要指标: 1) 超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术(A类); 2) 研制FED用的、能够在低电压下工作的新型冷阴极电子源结构、新型冷阴极电子发射材料(A类)。 3、超高密度光存储材料与器件技术 研究目标:发展具有自主知识产权的超高密度、大容量、高速度光存储材料和技术,达到国际先进水平,为发展超高密度光存储产业打下基础。 研究内容及主要指标: 1) DVD光头用光源和非球面透镜等产业化关键技术(B类); 2) 新型近场光存储材料和器件(A类)。 4、光传感材料与器件技术 研究目标:以特殊环境应用为目的,实现传感元器件的产业化技术开发;研究开发新型光电传感器。 研究内容及主要指标: 1) 光纤光栅温度、压力、振动传感器的产业化技术(B类,要求企业负责并有配套投入); 2) 锑化物半导体材料及室温无制冷红外焦平面探测器技术(A类); 3) 大气监测用高灵敏红外探测器及其列阵(A类) ; 4) 基于新概念、新原理的光电探测技术(A类); 5、新型有机光电子材料及器件 研究目标:研究开发新型有机半导体材料及其在光显示等领域的应用。 研究内容及主要指标:: 1) 有机非线性光学材料及其在全光光开关中的应用(A类); 2) 有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术(A类)。
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